草酸（H₂C₂O₄）是一种二元弱酸，受热能分解，它在水溶液中存在形式的分布与pH关系如图所示：
（1）试写出pH从3升至5的过程中反应的离子方程式：

HC₂O₄^-+OH^-=C₂O₄^2-+H₂O

HC₂O₄^-+OH^-=C₂O₄^2-+H₂O

（2）H₂C₂O₄溶液中，c（H⁺）/c（C₂O₄^2-）

＞

＞

2（填“＞”、“＜”或“=”）．
（3）H₂C₂O₄受热能分解，分解方程式为：

H₂C₂O₄

加热  .

CO↑+CO₂↑+H₂O

H₂C₂O₄

加热  .

CO↑+CO₂↑+H₂O

（4）H₂C₂O₄是标定KMnO₄溶液浓度常用的基准物质．标定KMnO₄溶液浓度时，应将溶液加热至75～85℃，温度低于或高于该范围时都不利于滴定结果的准确，理由是_________．
（5）下表为物质的量浓度相同的几种酸对铁锈及锅炉水垢的溶解性的比较：

酸	铁锈[Fe（OH）3]溶解量/g	水垢（CaCO3）溶解量/g
盐酸	0.7911	全溶
磷酸	0.1586	微溶
草酸	0.7399	0.0036
醋酸	0.1788	0.1655

下列推断可能正确的有

C

C

（填字母）．
A．酸性越强的酸除铁锈效果越好
B．草酸除水垢效果差的原因是因为草酸酸性太弱
C．铁锈或水垢在酸中的溶解性与酸根离子的性质可能有关
D．硫酸除铁锈和水垢的效果都好．

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硅单质及其化合物应用范围很广,请回答下列问题：

（1）       制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三氯甲硅烷（SiHCl₃）还原法是当前制备高纯硅的主要方法，生产过程示意图如下：

	焦炭		HCl		提纯

 

石英砂

SiHCl3(精)

SiHCl3(粗)

573K以上

粗硅

高温

     

 

①写出由纯SiHCl₃制备高纯硅的化学反应方程式　                 　。

②整个制备过程必须严格控制无水、无氧。SiHCl₃遇水剧烈反应生成H₂SiO₃、HCl和另一种物质，写出配平的化学反应方程式　　　                　         ；H₂还原SiHCl₃过程中若混0₂，可能引起的后果是                                      。

（2）下列有关说法正确的是           （填字母）。

A.碳化硅化学性质稳定，可用于生产耐高温水泥

B.氮化硅硬度大、熔点高，可用于制作高温陶瓷和轴承

C.普通玻璃的成分有纯碱、石灰石和石英砂，其熔点很高

D.盐酸可以与硅反应，故采用盐酸为抛光液抛光单晶硅

(3)取少量硅酸钠溶液于试管中，逐滴加入盐酸溶液，振荡,则反应的离子方程式是　 　                                                           。

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题号

1

2

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答案

B

D

A

A

C

D

B

D

B

B

AC

AD

BC

C

15．（10分，每空2分）

（1）过滤(洗涤)  ；    蒸发浓缩、冷却结晶，过滤

（2）连接好装置，从漏斗向量气筒内注入一定量的水，移动漏斗使左、右两侧形成液面高度差。静置后，液面高度不再变化，即表明气密性良好。（其他合理方法均给分）

（3）移动漏斗保持左、右两侧液面相平                 （4）%（2分）

16．（8分）（1）Al₄C₃；               (各1分，共2分)

（2）1.204×10²⁴（或2N_A）（2分）         （3）4NH₃+5O₂4NO+6H₂O（2分）

（4）AlO₂^－+CO₂+2H₂O＝Al(OH)₃↓+HCO₃^－（2分）；

17．（10分，每空2分）        （1）HC₂O₄^－+ OH^―= C₂O₄^2－+ H₂O    （2）＞

（3）H₂C₂O₄     CO↑+CO₂↑+H₂O

（4）温度过低反应速率缓慢；温度过高时，H₂C₂O₄在酸性溶液中会部分分解。(每个点1分 共2分)

（5）C

18．（10分）（1）保护臭氧层（1分）

（2）（2分）

（3）A（2分）

（4）①2KHCO₃K₂CO₃+CO₂↑+H₂O（2分）

②CO₂(g)+3H₂(g)            CH₃OH(g)+H₂O(g)  ΔH＝－49.47kJ•mol^－1（2分）

（5）B或D（B、D都选给分）（1分）

19．（12分，每空2分）

（1）反应①：加成反应；反应④：取代反应（2） A：CH₃CCN； G：

（3）B→C；CH₃CCOOH           CH₂＝CCOOH＋H₂O