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2007年诺贝尔物理学奖予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．材料的电阻随磁场的增强而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度．若下图为某磁敏电阻在室温下的电阻－磁感应强度特性曲线，其中R_B、R_o分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值R_B．请按要求完成下列实验．

(1)设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在下图的虚线框内画出实验电路原理图(磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0 T，不考虑磁场对电路其他部分的影响)．要求误差较小．

提供的器材如下：

A．磁敏电阻，无磁场时阻值R_o＝150 Ω

B．滑动变阻器R，全电阻约20 Ω

C．电流表A，量程2.5 mA，内阻约为30 Ω

D．电压表V，量程3 V，内阻约3 kΩ

E．直流电源E，电动势3 V，内阻不计

F．开关S，导线若干

(2)正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：

根据上表可求出磁敏电阻的测量值R_B＝________Ω，结合下图可知待测磁场的磁感应强度B＝________T．

(3)某同学查阅相关资料时看到了下图所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻－磁感应强度特性曲线关于纵轴对称，由该图线可以得到什么结论？________

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2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度．
若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中R_B、R₀分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值R_B．请按要求完成下列实验．
（1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路图，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）．要求误差较小．提供的器材如下：
A．磁敏电阻，无磁场时阻值R₀=150Ω
B．滑动变阻器R，全电阻约20Ω
C．电流表A，量程2.5mA，内阻约30Ω
D．电压表V，量程3V，内阻约3KΩ
E．直流电源E，电动势3V，内阻不计
F．开关S，导线若干
（2）正确连线后，将磁敏电阻置于待测磁场中，测量数据如下表：

	1	2	3	4	5	6
U （V）	0.00	0.45	0.92	1.50	1.79	2.71
A （mA）	0.00	0.30	0.60	1.00	1.20	1.80

根据上表可求出磁敏电阻的测量值R_B=

 

，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B=

 

T．
（3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？
（4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度．
若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中R_B、R₀分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值R_B．请按要求完成下列实验．


（1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路图，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）．要求误差较小．提供的器材如下：
A．磁敏电阻，无磁场时阻值R₀=150Ω
B．滑动变阻器R，全电阻约20Ω
C．电流表A，量程2.5mA，内阻约30Ω
D．电压表V，量程3V，内阻约3KΩ
E．直流电源E，电动势3V，内阻不计
F．开关S，导线若干
（2）正确连线后，将磁敏电阻置于待测磁场中，测量数据如下表：

	1	2	3	4	5	6
U （V）	0.00	0.45	0.92	1.50	1.79	2.71
A （mA）	0.00	0.30	0.60	1.00	1.20	1.80

根据上表可求出磁敏电阻的测量值R_B=______，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B=______T．
（3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？
（4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”救应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。
若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻一磁感应强度特性曲线，其中R_B、R₀分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值R_B。请按要求完成下列实验。

   

（1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。提供的器材如下：
A.磁敏电阻，无磁场时阻值R₀=150Ω
B.滑动变阻器R，全电阻约20Ω
C.电流表．量程2.5mA，内阻约30Ω
D.电压表，量程3V，内阻约3kΩ
E.直流电源E，电动势3V，内阻不计
F.开关S，导线若干
（2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：

根据上表可求出磁敏电阻的测量值R_B=________Ω，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B=_________T。
（3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻直的变化规律有何不同？
（4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻一磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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单选题：

1

2

3

4

5

B

C

A

D

B

多选题：

6

7

8

9

ACD

ABD

BD

ABC

简答题：

10．答案：(1)如右图所示

(2)1500 0.90

(3)在0～0 2T范围内，磁敏电阻的阻值随磁感应强度非线性变化(或不均匀变化);在0.4～1.0T范围内，磁敏电阻的阻值随磁感应强度线性变化(或均匀变化)

(4)磁场反向磁敏电阻的阻值不变   

11．①A

②连接如右图

③ 3.0V，1.0 W，

12．模块3―4试题（10分）

12．（1）AEF

（2）l₁、l₃；l₁/l₃ ………………………………………………………（每空2分）

（3）①波长λ = 2.0m，周期T = λ/v = 1.0s，振幅A = 5cm，则y = 5sin(2πt)  cm

……………………………………………………………………………………（2分）

②n = t/T = 4.5，则4.5s内路程s = 4nA = 90cm；x = 2.5m质点在t = 0时位移为y =5cm，则经过4个周期后与初始时刻相同，经4.5个周期后该质点位移y =  ― 5cm．

…………………………………………………………………………………（2分）

13．模块3―5试题（10分）

13．（1）ABF

（2）B的右端至D板的距离L₂……………………………………………………（2分）

………………………………………………………………（2分）

（3）①4H →He +2e…………………………………………………………（2分）

②Δm = 4m_P－ m_α－2m_e = 4×1.0073u－4.0015u－2×0.0005u = 0.0267 u…（2分）

ΔE = Δ mc²  = 0.0267 u×931.5MeV/u ＝24.86 MeV  …………………………（2分）

计算题：

14．必修268页

15．解：（1）由，，，得，所以当最大时，即s时，

动能最大

（2）由于图像是直线，得，根据图中斜线所画的面积，

由有效值的概念得，

所以

（3）由功能关系得拉力做的功为

16．（14分）解：（1）磁感应强度B₁与B₂的方向垂直纸面向外．（2分）

（2）设带电粒子的电荷量为q，质量为m，在B₁ 和B₂中运动轨道半径分别为r₁和r₂，周期分别为T₁和T₂，由

 和得

   ①（1分）       ②（1分）

③（1分）         ④（1分）

粒子第2次过x轴，沿x轴的位移x = 2（r₁－r₂）  ⑤（1分）

运动的时间  ⑥ （1分）

平均速度  ⑦（1分）

则由①②③④⑤⑥⑦式得：（1分）

（3）粒子第n次过x轴的位移x =   ⑧（1分）

经过的时间  ⑨ （1分）

联立⑦⑧⑨式解得：  ⑩ （2分）