如图所示，相距为d的两水平虚线p₁、p₂表示方向垂直纸面向里的匀强磁场的上下边界，磁场的磁感应强度为B。正方形线框abcd的边长为L(L<d)、质量为m、电阻为R，线框处在磁场正上方，ab边与虚线p₁相距h。线框由静止释放，下落过程中线框平面始终在竖直平面内，线框的ab边刚进入磁场时的速度和ab边刚离开磁场时的速度相同。在线框从进入到全部穿过磁场的过程中，下列说法正确的是(    )

A.线框克服安培力所做的功为mgd  B.线框克服安培力所做的功为mgL

C.线框的最小速度为        D.线框的最小速度为

如图所示，相距为d的两水平虚线p₁、p₂表示方向垂直纸面向里的匀强磁场的上下边界，磁场的磁感应强度为B。正方形线框abcd的边长为L(L<d)、质量为m、电阻为R，线框处在磁场正上方，ab边与虚线p₁相距h。线框由静止释放，下落过程中线框平面始终在竖直平面内，线框的ab边刚进入磁场时的速度和ab边刚离开磁场时的速度相同。在线框从进入到全部穿过磁场的过程中，下列说法正确的是(    )

A.线框克服安培力所做的功为mgd  B.线框克服安培力所做的功为mgL

C.线框的最小速度为        D.线框的最小速度为

如图所示，相距为d的两水平虚线p₁、p₂表示方向垂直纸面向里的匀强磁场中的上下边界，磁场的磁感应强度为B.正方形abcd的边长为L（L<d）、质量为m、电阻为R，线框处在磁场正上方，ab边与虚线p₁相距h.线框由静止释放，下落过程中线框平面始终在竖直平面内，线框的ab边刚进入磁场时的速度和ab边刚离开磁场时的速度相同.在线框从进入到全部穿过磁场的过程中，下落说法正确的是

A.线框克服安培力所做的功为2mgd

B.线框克服安培力所做的功为mgd                  

C.线框的最小速度为错误！未找到引用源。

D.线框的最小速度为错误！未找到引用源。

如图所示，相距为d的两水平虚线p₁、p₂表示方向垂直纸面向里的匀强磁场的上下边界，磁场的磁感应强度为B。正方形线框abcd的边长为L(L<d)、质量为m、电阻为R，线框处在磁场正上方，ab边与虚线p₁相距h。线框由静止释放，下落过程中线框平面始终在竖直平面内， 线框的ab边刚进人磁场时的速度和ab边刚离开磁场时的速度相同。在线框从进入到全部穿过磁场的过程中，下列说法正确的是

　 A．线框克服安培力所做的功为mgd

　 B．线框克服安培力所做的功为mgL

　 C．线框的最小速度为

　 D．线框的最小速度为

如图所示，相距为d的两水平虚线p₁、p₂表示方向垂直纸面向里的匀强磁场中的上下边界，磁场的磁感应强度为B.正方形abcd的边长为L（L<d）、质量为m、电阻为R，线框处在磁场正上方，ab边与虚线p₁相距h.线框由静止释放，下落过程中线框平面始终在竖直平面内，线框的ab边刚进入磁场时的速度和ab边刚离开磁场时的速度相同.在线框从进入到全部穿过磁场的过程中，下落说法正确的是

A.线框克服安培力所做的功为2mgd

B.线框克服安培力所做的功为mgd                 

C.线框的最小速度为

D.线框的最小速度为

如图所示，相距为d的两水平虚线p₁、p₂表示方向垂直纸面向里的匀强磁场中的上下边界，磁场的磁感应强度为B.正方形abcd的边长为L（L<d）、质量为m、电阻为R，线框处在磁场正上方，ab边与虚线p₁相距h.线框由静止释放，下落过程中线框平面始终在竖直平面内，线框的ab边刚进入磁场时的速度和ab边刚离开磁场时的速度相同.在线框从进入到全部穿过磁场的过程中，下落说法正确的是

A.线框克服安培力所做的功为2mgd

B.线框克服安培力所做的功为mgd                  

C.线框的最小速度为错误！未找到引用源。

D.线框的最小速度为错误！未找到引用源。

如图所示，相距为d的两水平虚线p₁、p₂表示方向垂直纸面向里的匀强磁场的上下边界，磁场的磁感应强度为B。正方形线框abcd的边长为L(L<d)、质量为m、电阻为R，线框处在磁场正上方，ab边与虚线p₁相距h。线框由静止释放，下落过程中线框平面始终在竖直平面内，线框的ab边刚进入磁场时的速度和ab边刚离开磁场时的速度相同。在线框从进入到全部穿过磁场的过程中，下列说法正确的是(    )

A．线框克服安培力所做的功为mgd	B．线框克服安培力所做的功为mgL
C．线框的最小速度为	D．线框的最小速度为