练习册

  • 练习册
  • 试题
    精英家教网 > 高中物理 > 题目详情
    如图，一个有界匀强磁场区域，磁场方向垂直纸面向外．一个矩形闭合导线框abcd，沿纸面由左向右匀速运动到虚线位置．则（　　）
    A．导线框进入磁场时，感应电流方向为a→d→c→b→a
    B．导线框离开磁场时，感应电流方向为a→b→c→d→a
    C．导线框进入磁场时，受到的安培力方向水平向左
    D．导线框离开磁场时，受到的安培力方向水平向右
    魔方格
    C
    请在这里输入关键词：
    相关习题

    科目：高中物理 来源：江苏 题型：单选题

    如图，一个有界匀强磁场区域，磁场方向垂直纸面向外．一个矩形闭合导线框abcd，沿纸面由左向右匀速运动到虚线位置．则（　　）
    A．导线框进入磁场时，感应电流方向为a→d→c→b→a
    B．导线框离开磁场时，感应电流方向为a→b→c→d→a
    C．导线框进入磁场时，受到的安培力方向水平向左
    D．导线框离开磁场时，受到的安培力方向水平向右
    精英家教网

    查看答案和解析>>

    科目：高中物理 来源：2006-2007学年北京市丰台区高三（上）期末物理试卷（解析版） 题型：选择题

    如图，一个有界匀强磁场区域，磁场方向垂直纸面向外．一个矩形闭合导线框abcd，沿纸面由左向右匀速运动到虚线位置．则（ ）

    A．导线框进入磁场时，感应电流方向为a→d→c→b→a
    B．导线框离开磁场时，感应电流方向为a→b→c→d→a
    C．导线框进入磁场时，受到的安培力方向水平向左
    D．导线框离开磁场时，受到的安培力方向水平向右

    查看答案和解析>>

    科目：高中物理 来源：2010-2011学年江苏省宿迁市高二（上）期末物理试卷（解析版） 题型：选择题

    如图，一个有界匀强磁场区域，磁场方向垂直纸面向外．一个矩形闭合导线框abcd，沿纸面由左向右匀速运动到虚线位置．则（ ）

    A．导线框进入磁场时，感应电流方向为a→d→c→b→a
    B．导线框离开磁场时，感应电流方向为a→b→c→d→a
    C．导线框进入磁场时，受到的安培力方向水平向左
    D．导线框离开磁场时，受到的安培力方向水平向右

    查看答案和解析>>

    科目：高中物理 来源：《第3章 电磁感应》2010年单元测试卷（湖北省示范高中）（解析版） 题型：选择题

    如图，一个有界匀强磁场区域，磁场方向垂直纸面向外．一个矩形闭合导线框abcd，沿纸面由左向右匀速运动到虚线位置．则（ ）

    A．导线框进入磁场时，感应电流方向为a→d→c→b→a
    B．导线框离开磁场时，感应电流方向为a→b→c→d→a
    C．导线框进入磁场时，受到的安培力方向水平向左
    D．导线框离开磁场时，受到的安培力方向水平向右

    查看答案和解析>>

    科目：高中物理 来源：2013年黑龙江高三选择题训练物理试卷（解析版） 题型：选择题

    如图，一个有界匀强磁场区域，磁场方向垂直纸面向外．一个矩形闭合导线框abcd，沿纸面由左向右匀速运动到虚线位置．则（ ）

    A．导线框进入磁场时，感应电流方向为a→d→c→b→a
    B．导线框离开磁场时，感应电流方向为a→b→c→d→a
    C．导线框进入磁场时，受到的安培力方向水平向左
    D．导线框离开磁场时，受到的安培力方向水平向右

    查看答案和解析>>

    科目：高中物理 来源：2004年江苏省高考物理试卷（解析版） 题型：选择题

    如图，一个有界匀强磁场区域，磁场方向垂直纸面向外．一个矩形闭合导线框abcd，沿纸面由左向右匀速运动到虚线位置．则（ ）

    A．导线框进入磁场时，感应电流方向为a→d→c→b→a
    B．导线框离开磁场时，感应电流方向为a→b→c→d→a
    C．导线框进入磁场时，受到的安培力方向水平向左
    D．导线框离开磁场时，受到的安培力方向水平向右

    查看答案和解析>>

    科目：高中物理 来源： 题型：

    （2004?江苏）如图，一个有界匀强磁场区域，磁场方向垂直纸面向外．一个矩形闭合导线框abcd，沿纸面由左向右匀速运动到虚线位置．则（　　）

    查看答案和解析>>

    科目：高中物理 来源：徐汇区二模 题型：单选题

    一有界匀强磁场区域如图（甲）所示，abcd是一个质量为m、电阻为R、边长为L、匝数为N的正方形线圈．线圈一半在磁场内，一半在磁场外．t=0时刻磁场磁感应强度由B0开始均匀减小，线圈在磁场力作用下运动，v-t图象如图（乙），图中斜向虚线为速度图线在0点的切线，数据由图中给出，不考虑重力影响．则磁场磁感应强度的变化率为（　　）
    A．
    mRv0
    t1NB0L3
    		B．
    2mRv0
    t1NB0L2
    C．
    2mRv0
    t1N2B0L3
    		D．
    mRv0
    t1N2B0L2
    精英家教网

    查看答案和解析>>

    科目：高中物理 来源：2013年上海市徐汇区高考物理二模试卷（解析版） 题型：选择题

    一有界匀强磁场区域如图（甲）所示，abcd是一个质量为m、电阻为R、边长为L、匝数为N的正方形线圈．线圈一半在磁场内，一半在磁场外．t=0时刻磁场磁感应强度由B开始均匀减小，线圈在磁场力作用下运动，v-t图象如图（乙），图中斜向虚线为速度图线在0点的切线，数据由图中给出，不考虑重力影响．则磁场磁感应强度的变化率为（ ）

    A．
    B．
    C．
    D．

    查看答案和解析>>

    科目：高中物理 来源： 题型：

    一有界匀强磁场区域如图（甲）所示，abcd是一个质量为m、电阻为R、边长为L、匝数为N的正方形线圈。线圈一半在磁场内，一半在磁场外。t=0时刻磁场磁感应强度由B0开始均匀减小，线圈在磁场力作用下运动,v-t图象如图（乙），图中斜向虚线为速度图线在0点的切线，数据由图中给出，不考虑重力影响。则磁场磁感应强度的变化率为（      ）

    （A）        （B）     （C）      （D）

    查看答案和解析>>


    同步练习册答案