科目:高中物理 来源: 题型:
科目:高中物理 来源:不详 题型:多选题
A.当E和d重合时,环中电流最大 |
B.当O和d重合时,环中电流最大 |
C.当F和d重合时,环中电流为零 |
D.当O和d重合时,环中感应电动势的大小E=BRV |
科目:高中物理 来源:2010-2011学年福建省莆田市仙游县度尾中学高二(上)模块物理试卷(选修3-2)(解析版) 题型:选择题
科目:高中物理 来源: 题型:
科目:高中物理 来源:四中大考卷-高二物理(下册)、期中测试题 题型:013
如图所示,abcd为一垂直纸面的匀强磁场区域,现在给竖直放置的圆环以某种约束,保证它无转动的匀速下落,在下落过程中,它的左半部通过磁场,圆环均为电阻丝做成,F、O、E为环的上、中、下三点,则下列说法中正确的是
A.当E与d重合时,环中电流最大
B.当O与d重合时,环中电流最大
C.当F与d重合时,环中电流最大
D.以上说法都不对
科目:高中物理 来源: 题型:
如图9-3-4甲所示,abcd是位于竖直平面内的正方形闭合金属线框,在金属线框的下方有一磁感应强度为B的匀强磁场区域,MN和M′N′是匀强磁场区域的水平边界,并与线框的bc边平行,磁场方向与线框平面垂直.现金属线框由距MN的某一高度从静止开始下落,图9-3-18乙是金属线框由开始下落到完全穿过匀强磁场区域的vt图象.已知金属线框的质量为m,电阻为R,当地的重力加速度为g,图象中坐标轴上所标出的字母v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均为已知量.(下落过程中bc边始终水平)根据题中所给条件,以下说法正确的是( ).
图9-3-4
A.可以求出金属框的边长
B.线框穿出磁场时间(t4-t3)等于进入磁场时间(t2-t1)
C.线框穿出磁场与进入磁场过程所受安培力方向相同
D.线框穿出磁场与进入磁场过程产生的焦耳热相等
科目:高中物理 来源:不详 题型:问答题
△B |
△t |
科目:高中物理 来源:2010-2011学年山东省济南市高三第一次模拟考试理科物理卷 题型:选择题
如图甲所示,abcd是位于竖直平面内的正方形闭合金属线框,在金属线框的下方有一磁感应强度为B的匀强磁场区域,MN和M′N′是匀强磁场区域的水平边界,并在线框的bc边平行,磁场方向与线框平面垂直。现金属线框内距MN的某一高度从静止开始下落,图乙是金属线框由开始下落到完全穿过匀强磁场区域的v – t 图像。已知金属线框的质量为m,电阻为R,当地的重力加速度为g,图像中坐标轴上所标出的字线v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均为已知量。(下落过程中bc边始终水平)根据题中所给条件,以下说法正确的是 ( )
A.可以求出金属框的边长
B.线框穿出磁场时间(t1—t3)等于进入磁场时间(t2—t1)
C.线框穿出磁场与进入磁场过程所受安培力方向相同
D.线框穿出磁场与进入磁场过程产生的焦耳相等
科目:高中物理 来源:不详 题型:单选题
A.可以求出金属框的边长 |
B.线框穿出磁场时间(t1—t3)等于进入磁场时间(t2—t1) |
C.线框穿出磁场与进入磁场过程所受安培力方向相同 |
D.线框穿出磁场与进入磁场过程产生的焦耳相等 |
科目:高中物理 来源: 题型:
如图甲所示,abcd是位于竖直平面内的正方形闭合金属线框,在金属线框的下方有一磁感应强度为B的匀强磁场区域,MN和M′N′是匀强磁场区域的水平边界,并在线框的bc边平行,磁场方向与线框平面垂直。现金属线框内距MN的某一高度从静止开始下落,图乙是金属线框由开始下落到完全穿过匀强磁场区域的v – t图像。已知金属线框的质量为m,电阻为R,当地的重力加速度为g,图像中坐标轴上所标出的字线v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均为已知量。(下落过程中bc边始终水平)根据题中所给条件,以下说法正确的是 ( )
A.可以求出金属框的边长
B.线框穿出磁场时间(t1—t3)等于进入磁场时间(t2—t1)
C.线框穿出磁场与进入磁场过程所受安培力方向相同
D.线框穿出磁场与进入磁场过程产生的焦耳相等
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