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边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下,将穿过方向如图所示的有界匀强磁场.磁场范围宽为d(d>L).已知线框进入磁场时恰好匀速.则线框进入磁场的过程和从另一侧出磁场的过程相比较,下列说法正确的是(  )
A.线框中感应电流的方向相反
B.所受安培力的方向相反
C.出磁场过程产生的电能一定大于进磁场过程产生的电能
D.出磁场过程中任意时刻的电功率一定大于进磁场时的电功率
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科目:高中物理 来源: 题型:

边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动,穿过方向如图的有界匀强磁场区域.磁场区域的宽度为d(d>L).已知ab边进入磁场时,线框的加速度恰好为零.则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较,有(  )

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科目:高中物理 来源: 题型:

边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下,将穿过方向如图所示的有界匀强磁场。磁场范围为ddL),已知线框进入磁场时恰好匀速,则线框进入磁场的过程和从另一侧穿出磁场的过程相比较,下列说法正确的是(  )

A.线框中感应电流的方向相反

B.所受安培力的方向相反

C.穿出磁场过程产生的电能一定大于进入磁场过程产生的电能

D.穿出磁场过程中任意时刻的电功率不可能小于进入磁场时的电功率

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科目:高中物理 来源:2013届山东省济宁市泗水一中高三12月月考质量检测物理试卷(带解析) 题型:单选题

边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动,穿过方向如图的有界匀强磁场区域,磁场区域的宽度为d(d>L).已知ab边进入磁场时,线框的加速度恰好为零.则线框进入磁场和穿出磁场的过程相比较,有

A.产生的感应电流方向相反
B.受的安培力大小相等方向相反
C.进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间
D.进入磁场过程中产生的热量少于穿出磁场过程产生的热量

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科目:高中物理 来源:2012-2013学年内蒙古巴市一中高二上学期期末考试物理试卷(带解析) 题型:单选题

边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动,穿过方向如图的有界匀强磁场区域.磁场区域的宽度为d(d>L)。已知ab边进入磁场时,线框的加速度恰好为零.则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较,有                       

A.产生的感应电流方向相反
B.所受的安培力方向相同
C.进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间
D.进入磁场过程和穿出磁场过程中通过导体内某一截面的电量相等

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科目:高中物理 来源:2012-2013学年山东省德州市某中学高三12月月考物理试卷(带解析) 题型:单选题

边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动,穿过方向如图的有界匀强磁场区域,磁场区域的宽度为d(d>L).已知ab边进入磁场时,线框的加速度恰好为零.则线框进入磁场和穿出磁场的过程相比较,有

A.产生的感应电流方向相反
B.受的安培力大小相等方向相反
C.进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间
D.进入磁场过程中产生的热量少于穿出磁场过程产生的热量

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科目:高中物理 来源:2014届贵州贵阳北京师范大学贵阳附属中学高三上第一次月考物理试卷(解析版) 题型:选择题

边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动,穿过方向如图的有界匀强磁场区域,磁场区域的宽度为d(d>L)。已知ab边进入磁场时,线框的加速度恰好为零.则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较,有( )

A.产生的感应电流方向相同

B.所受的安培力方向相同

C.进入磁场过程和穿出磁场过程中通过导体内某一截面的电量相等

D.进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间

 

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科目:高中物理 来源:2014届内蒙古巴市高二上学期期末考试物理试卷(解析版) 题型:选择题

边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动,穿过方向如图的有界匀强磁场区域.磁场区域的宽度为d(d>L)。已知ab边进入磁场时,线框的加速度恰好为零.则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较,有                       

A.产生的感应电流方向相反

B.所受的安培力方向相同

C.进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间

D.进入磁场过程和穿出磁场过程中通过导体内某一截面的电量相等

 

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科目:高中物理 来源:2013届山东省德州市高三12月月考物理试卷(解析版) 题型:选择题

边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动,穿过方向如图的有界匀强磁场区域,磁场区域的宽度为d(d>L).已知ab边进入磁场时,线框的加速度恰好为零.则线框进入磁场和穿出磁场的过程相比较,有

A.产生的感应电流方向相反

B.受的安培力大小相等方向相反

C.进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间

D.进入磁场过程中产生的热量少于穿出磁场过程产生的热量

 

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科目:高中物理 来源: 题型:单选题

边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动,穿过方向如图的有界匀强磁场区域.磁场区域的宽度为d(d>L)。已知ab边进入磁场时,线框的加速度恰好为零.则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较,有

A.产生的感应电流方向相反
B.所受的安培力方向相反
C.进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间
D.进入磁场过程的发热量少于穿出磁场过程的发热量

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科目:高中物理 来源: 题型:单选题

边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动,穿过方向如图的有界匀强磁场区域,磁场区域的宽度为d(d>L)。已知ab边进入磁场时,线框的加速度恰好为零.则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较,有( )

A.产生的感应电流方向相同
B.所受的安培力方向相同
C.进入磁场过程和穿出磁场过程中通过导体内某一截面的电量相等
D.进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间

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